Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

ఆంటిమోనీ టెల్యురైడ్ Sb₂Te₃|అల్₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

వివరణ

ఆంటిమోనీ టెల్యురైడ్Sb₂Te₃, ఆవర్తన పట్టికలోని గ్రూప్ VA, VIA మూలకాల యొక్క సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్.షట్కోణ-రాంబోహెడ్రల్ నిర్మాణంతో, సాంద్రత 6.5g/సెం³, ద్రవీభవన స్థానం 620^oC, బ్యాండ్ గ్యాప్ 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, ఇది నైట్రిక్ యాసిడ్‌లో కరుగుతుంది మరియు యాసిడ్‌లకు అనుకూలంగా ఉండదు, నీటిలో కరగనిది మరియు మండించని స్థిరత్వం.ఆంటిమోనీ టెల్లూరైడ్ గ్రూప్-15 మెటాలాయిడ్ ట్రైచల్‌కోజెనైడ్స్, Sbకి చెందినది₂Te₃స్ఫటికాలు ఒక సాధారణ పార్శ్వ పరిమాణం, దీర్ఘచతురస్రాకార ఆకారం మరియు లోహ రూపాన్ని కలిగి ఉంటాయి, పొరలు వాన్ డెర్ వాల్స్ పరస్పర చర్యల ద్వారా ఒకదానితో ఒకటి పేర్చబడి ఉంటాయి మరియు సన్నని 2D పొరలుగా ఎక్స్‌ఫోలియేట్ చేయబడతాయి.బ్రిడ్జ్‌మ్యాన్ పద్ధతి ద్వారా తయారు చేయబడిన, ఆంటిమోనీ టెల్లూరైడ్ ఒక సెమీకండక్టర్, టోపోలాజికల్ ఇన్సులేటర్ మరియు థర్మోఎలెక్ట్రిక్ పదార్థం, సౌర ఘటం పదార్థాలు, వాక్యూమ్ బాష్పీభవనం.ఇంతలో, Sb2Te3అధిక పనితీరు దశ మార్పు మెమరీ లేదా ఆప్టికల్ డేటా నిల్వ అప్లికేషన్‌ల కోసం ఒక ముఖ్యమైన బేస్ మెటీరియల్.టెల్యురైడ్ సమ్మేళనాలు ఎలక్ట్రోలైట్ మెటీరియల్, సెమీకండక్టర్ డోపాంట్, QLED డిస్‌ప్లే, IC ఫీల్డ్ మొదలైనవి మరియు ఇతర మెటీరియల్ ఫీల్డ్‌లుగా అనేక అప్లికేషన్‌లను కనుగొంటాయి.

డెలివరీ

ఆంటిమోనీ టెల్యురైడ్ Sb₂Te₃మరియు అల్యూమినియం టెల్యురైడ్ అల్₂Te₃, ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్ యాస్₂Te₃, బిస్మత్ టెల్లురైడ్ బై₂Te₃, గాలియం టెల్లురైడ్ గా₂Te₃వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 4N 99.99% మరియు 5N 99.999% స్వచ్ఛతతో పౌడర్ -60మెష్, -80మెష్, గ్రాన్యూల్ 1-6మిమీ, లంప్ 1-20మిమీ, చంక్, బల్క్ క్రిస్టల్, రాడ్ మరియు సబ్‌స్ట్రేట్ మొదలైన వాటి రూపంలో అందుబాటులో ఉన్నాయి. ఖచ్చితమైన పరిష్కారాన్ని చేరుకోవడానికి వివరణ.

ఇప్పుడు విచారణ

వివరాలు

టాగ్లు

సాంకేతిక నిర్దిష్టత

టెల్యురైడ్ సమ్మేళనాలు

టెల్యురైడ్ సమ్మేళనాలుసమ్మేళనం-ఆధారిత ఘన ద్రావణాన్ని రూపొందించడానికి నిర్దిష్ట పరిధిలో స్టోయికియోమెట్రిక్ కూర్పు మారుతున్న లోహ మూలకాలు మరియు మెటాలాయిడ్ సమ్మేళనాలను సూచిస్తాయి.ఇంటర్-మెటాలిక్ సమ్మేళనం మెటల్ మరియు సిరామిక్ మధ్య అద్భుతమైన లక్షణాలను కలిగి ఉంది మరియు కొత్త నిర్మాణ పదార్థాలలో ముఖ్యమైన శాఖగా మారింది.Antimony Telluride Sb యొక్క టెల్యురైడ్ సమ్మేళనాలు₂Te₃, అల్యూమినియం టెల్యురైడ్ అల్₂Te₃, ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్ యాస్₂Te₃, బిస్మత్ టెల్లురైడ్ బై₂Te₃, కాడ్మియం టెల్లురైడ్ CdTe, కాడ్మియం జింక్ టెల్యురైడ్ CdZnTe, కాడ్మియం మాంగనీస్ టెల్యురైడ్ CdMnTe లేదా CMT, కాపర్ టెల్లూరైడ్ Cu₂టె, గాలియం టెల్లూరైడ్ గా₂Te₃, జెర్మేనియం టెల్యురైడ్ GeTe, ఇండియమ్ టెల్యురైడ్ InTe, Lead Telluride PbTe, మాలిబ్డినం టెల్లూరైడ్ MoTe₂, టంగ్స్టన్ టెల్లురైడ్ WTe₂మరియు దాని (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) సమ్మేళనాలు మరియు అరుదైన భూమి సమ్మేళనాలు పొడి, కణిక, ముద్ద, బార్, ఉపరితల, బల్క్ క్రిస్టల్ మరియు సింగిల్ క్రిస్టల్ రూపంలో సంశ్లేషణ చేయబడతాయి…

నం.	అంశం	స్టాండర్డ్ స్పెసిఫికేషన్
నం.	అంశం	ఫార్ములా	స్వచ్ఛత	పరిమాణం & ప్యాకింగ్
1	జింక్ టెల్యురైడ్	ZnTe	5N	-60మెష్, -80మెష్ పౌడర్, 1-20మిమీ క్రమరహిత ముద్ద, 1-6మిమీ కణిక, లక్ష్యం లేదా ఖాళీ. 500g లేదా 1000g పాలిథిలిన్ సీసా లేదా మిశ్రమ సంచిలో, బయట కార్టన్ బాక్స్. టెల్లూరైడ్ సమ్మేళనాల కూర్పు అభ్యర్థనపై అందుబాటులో ఉంది. ఖచ్చితమైన పరిష్కారం కోసం ప్రత్యేక వివరణ మరియు అప్లికేషన్ అనుకూలీకరించవచ్చు
2	ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్	As₂Te₃	4N 5N
3	ఆంటిమోనీ టెల్యురైడ్	Sb₂Te₃	4N 5N
4	అల్యూమినియం టెల్యురైడ్	Al₂Te₃	4N 5N
5	బిస్మత్ టెల్లూరైడ్	Bi₂Te₃	4N 5N
6	కాపర్ టెల్యురైడ్	Cu₂Te	4N 5N
7	కాడ్మియం టెల్యురైడ్	CdTe	5N 6N 7N
8	కాడ్మియం జింక్ టెల్యురైడ్	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	కాడ్మియం మాంగనీస్ టెల్యురైడ్	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	గాలియం టెల్యురైడ్	Ga₂Te₃	4N 5N
11	జెర్మేనియం టెల్యురైడ్	GeTe	4N 5N
12	ఇండియమ్ టెల్యురైడ్	InTe	4N 5N
13	లీడ్ టెల్యురైడ్	PbTe	5N
14	మాలిబ్డినం టెల్యురైడ్	MoTe₂	3N5
15	టంగ్స్టన్ టెల్యురైడ్	WTe₂	3N5

అల్యూమినియం టెల్యురైడ్

అల్యూమినియం టెల్యురైడ్ అల్₂Te₃లేదాట్రిటూరియం డయాలుమినియం, CAS 12043-29-7, MW 436.76, సాంద్రత 4.5g/cm³, వాసన లేదు, బూడిద-నలుపు షట్కోణ క్రిస్టల్, మరియు గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద స్థిరంగా ఉంటుంది, కానీ తేమతో కూడిన గాలిలో హైడ్రోజన్ టెల్యురైడ్ మరియు అల్యూమినియం హైడ్రాక్సైడ్‌గా కుళ్ళిపోతుంది.అల్యూమినియం టెల్లూరైడ్ అల్₂Te₃,1000°C వద్ద Al మరియు Te ప్రతిస్పందించడం ద్వారా ఏర్పడవచ్చు, బైనరీ వ్యవస్థ Al-Teలో AlTe, Al అనే ఇంటర్మీడియట్ దశలు ఉంటాయి.₂Te₃(α-దశ మరియు β-దశ) మరియు అల్₂Te₅, α- అల్ యొక్క క్రిస్టల్ నిర్మాణం₂Te₃మోనోక్లినిక్.అల్యూమినియం టెల్యురైడ్ అల్₂Te₃ప్రధానంగా ఫార్మాస్యూటికల్ ముడి పదార్థం, సెమీకండక్టర్ మరియు ఇన్‌ఫ్రారెడ్ మెటీరియల్ కోసం ఉపయోగిస్తారు.అల్యూమినియం టెల్యురైడ్ అల్₂Te₃వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 4N 99.99% మరియు 5N 99.999% స్వచ్ఛతతో పౌడర్, గ్రాన్యూల్, లంప్, చంక్, బల్క్ క్రిస్టల్ మొదలైన వాటి రూపంలో లేదా బాటిల్ లేదా కాంపోజిట్ బ్యాగ్ ద్వారా వాక్యూమ్ ప్యాకేజీతో అనుకూలీకరించిన స్పెసిఫికేషన్‌లో అందుబాటులో ఉంది.

ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్

ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్ లేదా ఆర్సెనిక్ డిటెల్యురైడ్ యాస్₂Te₃, సమూహం I-III బైనరీ సమ్మేళనం, రెండు స్ఫటికాకార ఆల్ఫా-Asలో ఉంటుంది₂Te₃మరియు బీటా-As₂Te₃, వీటిలో బీటా-As₂Te₃రాంబోహెడ్రల్ నిర్మాణంతో, మిశ్రమాల కంటెంట్‌ను సర్దుబాటు చేయడం ద్వారా ఆసక్తికరమైన థర్మోఎలెక్ట్రిక్ (TE) లక్షణాలను ప్రదర్శిస్తుంది.పాలీక్రిస్టలైన్ ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్ యాస్₂Te₃పౌడర్ మెటలర్జీ ద్వారా సంశ్లేషణ చేయబడిన సమ్మేళనం అధిక సామర్థ్యంతో నవల TE పదార్థాలను రూపొందించడానికి ఒక ఆసక్తికరమైన వేదిక కావచ్చు.As2Te3 యొక్క ఒకే స్ఫటికాలు HCl 25% w/w ద్రావణంలో స్టోయికియోమెట్రిక్ పరిమాణాల పొడి As మరియు Te యొక్క మిశ్రమాన్ని వేడి చేయడం మరియు క్రమంగా చల్లబరచడం ద్వారా హైడ్రోథర్మల్‌గా తయారు చేయబడతాయి.ఇది ప్రధానంగా సెమీకండక్టర్స్, టోపోలాజికల్ ఇన్సులేటర్లు, థర్మోఎలెక్ట్రిక్ పదార్థాలుగా ఉపయోగించబడుతుంది.ఆర్సెనిక్ టెల్యురైడ్ యాస్₂Te₃వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 99.99% 4N, 99.999% 5N స్వచ్ఛతతో పౌడర్, గ్రాన్యూల్, లంప్, చంక్, బల్క్ క్రిస్టల్ మొదలైన రూపంలో లేదా అనుకూలీకరించిన స్పెసిఫికేషన్‌లో డెలివరీ చేయవచ్చు.

బిస్మత్ టెల్లూరైడ్

బిస్మత్ టెల్లూరైడ్ బై₂Te₃, P రకం లేదా N-రకం, CAS No 1304-82-1, MW 800.76, సాంద్రత 7.642 g/cm³, ద్రవీభవన స్థానం 585⁰సి, వాక్యూమ్ స్మెల్టింగ్-నియంత్రిత స్ఫటికీకరణ ప్రక్రియ ద్వారా సంశ్లేషణ చేయబడుతుంది, అవి బ్రిడ్జ్‌మ్యాన్-స్టాక్‌బార్బర్ పద్ధతి మరియు జోన్-ఫ్లోటింగ్ పద్ధతి.థర్మోఎలెక్ట్రిక్ సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్‌గా, బిస్మత్ టెల్లూరైడ్ సూడో బైనరీ మిశ్రమం గది ఉష్ణోగ్రత థర్మోఎలెక్ట్రిక్ కూలింగ్ అప్లికేషన్‌ల కోసం సూక్ష్మీకరించిన బహుముఖ శీతలీకరణ పరికరాల కోసం విస్తృత స్పెక్ట్రమ్ పరికరాలు మరియు అంతరిక్ష వాహనాల్లో శక్తిని ఉత్పత్తి చేయడానికి ఉత్తమ లక్షణాలను అందిస్తుంది.పాలీక్రిస్టలైన్‌కు బదులుగా తగిన ఆధారిత సింగిల్ స్ఫటికాలను ఉపయోగించడం ద్వారా, థర్మోఎలెక్ట్రిక్ పరికరం (థర్మోఎలెక్ట్రిక్ కూలర్ లేదా థర్మోఎలెక్ట్రిక్ జనరేటర్) యొక్క సామర్థ్యాన్ని బాగా పెంచవచ్చు, ఇది సెమీకండక్టర్ రిఫ్రిజిరేషన్ మరియు ఉష్ణోగ్రత వ్యత్యాస విద్యుత్ ఉత్పత్తిలో స్థాపించబడుతుంది మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు మరియు Bi2Te3 సన్నని కోసం కూడా స్థాపించబడుతుంది. సినిమా పదార్థం.బిస్మత్ టెల్లూరైడ్ బై₂Te₃వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 4N 99.99% మరియు 5N 99.999% స్వచ్ఛతతో పంపిణీ చేయడానికి పౌడర్, గ్రాన్యూల్, లంప్, రాడ్, సబ్‌స్ట్రేట్, బల్క్ క్రిస్టల్ మొదలైన వాటి పరిమాణంలో ఉంది.

గాలియం టెల్యురైడ్

గాలియం టెల్లురైడ్ గా₂Te₃MW 522.24, CAS 12024-27-0, ద్రవీభవన స్థానం 790℃ మరియు సాంద్రత 5.57g/సెం.మీతో గట్టి మరియు పెళుసుగా ఉండే నల్లటి క్రిస్టల్³.ధాన్యం పరిమాణం, లోపం ఏకాగ్రత, నిర్మాణాత్మక, ఆప్టికల్ మరియు ఎలక్ట్రానిక్ అనుగుణ్యతను ఆప్టిమైజ్ చేయడానికి బ్రిడ్జ్‌మ్యాన్ గ్రోత్, కెమికల్ వేపర్ ట్రాన్స్‌పోర్ట్ CVT లేదా ఫ్లక్స్ జోన్ గ్రోత్ వంటి విభిన్న వృద్ధి పద్ధతులను ఉపయోగించడం ద్వారా సింగిల్ క్రిస్టల్ Gallium Telluride GaTe అభివృద్ధి చేయబడింది.కానీ ఫ్లక్స్ జోన్ టెక్నిక్ అనేది నిజంగా సెమీకండక్టర్ గ్రేడ్ vdW స్ఫటికాలను సంశ్లేషణ చేయడానికి ఉపయోగించే ఒక హాలైడ్ ఫ్రీ టెక్నిక్, ఇది రసాయన ఆవిరి రవాణా CVT టెక్నిక్ నుండి వేరుగా ఉంటుంది, ఇది ఖచ్చితమైన పరమాణు నిర్మాణం కోసం నెమ్మదిగా స్ఫటికీకరణ మరియు అపరిశుభ్రత లేని క్రిస్టల్ పెరుగుదలను అందిస్తుంది.Gallium Telluride GaTe అనేది III-VI మెటల్ సమ్మేళనం స్ఫటికానికి చెందిన ఒక లేయర్డ్ సెమీకండక్టర్, ఇది రెండు మార్పులతో ఉంటుంది, ఇవి మోనోక్లినిక్ యొక్క స్థిరమైన α-GaTe మరియు షట్కోణ మెటాస్టేబుల్ β-GaTe నిర్మాణం, మంచి p-రకం రవాణా లక్షణాలు, ప్రత్యక్ష బ్యాండ్- పెద్దమొత్తంలో 1.67 eV అంతరం, షట్కోణ దశ అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద మోనోక్లినిక్ దశగా మారుతుంది.Gallium Telluride లేయర్డ్ సెమీకండక్టర్ భవిష్యత్తులో ఆప్టో-ఎలక్ట్రానిక్ అనువర్తనాలకు ఆకర్షణీయమైన ఆసక్తికరమైన లక్షణాలను కలిగి ఉంది.గాలియం టెల్లురైడ్ గా₂Te₃వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 99.99% 4N, 99.999% 5N స్వచ్ఛతతో పౌడర్, గ్రాన్యూల్, లంప్, చంక్, రాడ్, బల్క్ క్రిస్టల్ మొదలైన రూపంలో లేదా కస్టమైజ్ చేసిన స్పెసిఫికేషన్‌లో డెలివరీ చేయవచ్చు.