ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ InAs

వివరణ

ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ InAs క్రిస్టల్ అనేది గ్రూప్ III-V యొక్క సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్, ఇది కనీసం 6N 7N స్వచ్ఛమైన ఇండియం మరియు ఆర్సెనిక్ మూలకం ద్వారా సంశ్లేషణ చేయబడింది మరియు VGF లేదా లిక్విడ్ ఎన్‌క్యాప్సులేటెడ్ క్జోక్రాల్స్‌కి (LEC) ప్రక్రియ, బూడిద రంగు ఆకృతి, క్యూబిక్ స్ఫటికాలు కలిగిన క్యూబిక్ స్ఫటికాలు , ద్రవీభవన స్థానం 942 °C.ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ బ్యాండ్ గ్యాప్ అనేది గాలియం ఆర్సెనైడ్‌కు సమానమైన ప్రత్యక్ష పరివర్తన, మరియు నిషేధించబడిన బ్యాండ్ వెడల్పు 0.45eV (300K).InAs క్రిస్టల్ విద్యుత్ పారామితుల యొక్క అధిక ఏకరూపత, స్థిరమైన జాలక, అధిక ఎలక్ట్రాన్ చలనశీలత మరియు తక్కువ లోపం సాంద్రత కలిగి ఉంటుంది.VGF లేదా LEC ద్వారా పెంచబడిన ఒక స్థూపాకార InAs క్రిస్టల్‌ను MBE లేదా MOCVD ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కోసం ముక్కలుగా చేసి, వేఫర్‌గా కట్, ఎచెడ్, పాలిష్ లేదా ఎపి-రెడీగా తయారు చేయవచ్చు.

అప్లికేషన్లు

ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ క్రిస్టల్ పొర అనేది హాల్ పరికరాలను మరియు అయస్కాంత క్షేత్ర సెన్సార్‌ను దాని సుప్రీం హాల్ మొబిలిటీ కోసం తయారు చేయడానికి ఒక గొప్ప ఉపరితలం, కానీ ఇరుకైన శక్తి బ్యాండ్‌గ్యాప్, అధిక-శక్తి అనువర్తనాల్లో ఉపయోగించే 1–3.8 µm తరంగదైర్ఘ్యం గల పరారుణ డిటెక్టర్ల నిర్మాణానికి అనువైన పదార్థం. గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద, అలాగే మధ్య తరంగదైర్ఘ్యం ఇన్‌ఫ్రారెడ్ సూపర్ లాటిస్ లేజర్‌లు, దాని 2-14 μm తరంగదైర్ఘ్యం పరిధి కోసం మధ్య-పరారుణ LED పరికరాల తయారీ.ఇంకా, InAs అనేది భిన్నమైన InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb లేదా AlGaSb సూపర్ లాటిస్ స్ట్రక్చర్ మొదలైన వాటికి మరింత మద్దతు ఇవ్వడానికి అనువైన సబ్‌స్ట్రేట్.

ఇప్పుడు విచారణ

వివరాలు

టాగ్లు

సాంకేతిక నిర్దిష్టత

ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్

InAs

ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ క్రిస్టల్ వేఫర్హాల్ పరికరాలు మరియు మాగ్నెటిక్ ఫీల్డ్ సెన్సార్‌ను దాని సుప్రీం హాల్ మొబిలిటీ కోసం తయారు చేయడానికి ఒక గొప్ప సబ్‌స్ట్రేట్, కానీ ఇరుకైన శక్తి బ్యాండ్‌గ్యాప్, గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద అధిక-శక్తి అనువర్తనాల్లో ఉపయోగించే 1–3.8 µm తరంగదైర్ఘ్యం గల పరారుణ డిటెక్టర్‌ల నిర్మాణానికి అనువైన పదార్థం, అలాగే మధ్య తరంగదైర్ఘ్యం ఇన్‌ఫ్రారెడ్ సూపర్ లాటిస్ లేజర్‌లు, దాని 2-14 μm తరంగదైర్ఘ్యం శ్రేణి కోసం మధ్య-పరారుణ LEDల పరికరాల తయారీ.ఇంకా, InAs అనేది భిన్నమైన InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb లేదా AlGaSb సూపర్ లాటిస్ స్ట్రక్చర్ మొదలైన వాటికి మరింత మద్దతు ఇవ్వడానికి అనువైన సబ్‌స్ట్రేట్.

నం.	వస్తువులు	స్టాండర్డ్ స్పెసిఫికేషన్
1	పరిమాణం	2"	3"	4"
2	వ్యాసం mm	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	వృద్ధి పద్ధతి	LEC	LEC	LEC
4	వాహకత	P-టైప్/Zn-డోప్డ్, N-టైప్/S-డోప్డ్, అన్-డోప్డ్
5	ఓరియంటేషన్	(100) ±0.5°, (111) ±0.5°
6	మందం μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	ఓరియంటేషన్ ఫ్లాట్ మిమీ	16±2	22±2	32±2
8	గుర్తింపు ఫ్లాట్ మిమీ	8±1	11± 1	18± 1
9	మొబిలిటీ cm2/Vs	60-300, ≥2000 లేదా అవసరమైతే
10	క్యారియర్ ఏకాగ్రత cm-3	(3-80)E17 లేదా ≤5E16
11	TTV μm గరిష్టంగా	10	10	10
12	విల్లు μm గరిష్టంగా	10	10	10
13	వార్ప్ μm గరిష్టంగా	15	15	15
14	డిస్‌లోకేషన్ డెన్సిటీ cm-2 గరిష్టం	1000	2000	5000
15	ఉపరితల ముగింపు	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ప్యాకింగ్	ఒకే పొర కంటైనర్ అల్యూమినియం సంచిలో మూసివేయబడింది.

లీనియర్ ఫార్ములా	InAs
పరమాణు బరువు	189.74
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	జింక్ మిశ్రమం
స్వరూపం	గ్రే స్ఫటికాకార ఘన
ద్రవీభవన స్థానం	(936-942)°C
మరుగు స్థానము	N/A
300K వద్ద సాంద్రత	5.67 గ్రా/సెం³
ఎనర్జీ గ్యాప్	0.354 eV
అంతర్గత నిరోధకత	0.16 Ω-సెం.మీ
CAS నంబర్	1303-11-3
EC నంబర్	215-115-3

ఇండియమ్ ఆర్సెనైడ్ InAsవెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో 2” 3” మరియు 4” (50 మిమీ, 75 మిమీ, 100 మిమీ) వ్యాసం కలిగిన పాలీక్రిస్టలైన్ లంప్ లేదా సింగిల్ క్రిస్టల్‌గా కట్, ఎచెడ్, పాలిష్ లేదా ఎపి-రెడీ పొరలుగా సరఫరా చేయవచ్చు మరియు p-టైప్, n-టైప్ లేదా అన్-డోప్డ్ కండక్టివిటీ మరియు <111> లేదా <100> ఓరియంటేషన్.ప్రపంచవ్యాప్తంగా ఉన్న మా కస్టమర్‌లకు సరైన పరిష్కారం కోసం అనుకూలీకరించిన స్పెసిఫికేషన్.