గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP

వివరణ

గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP, ఇతర III-V సమ్మేళన పదార్థాల వలె ప్రత్యేకమైన విద్యుత్ లక్షణాల యొక్క ముఖ్యమైన సెమీకండక్టర్, థర్మోడైనమిక్‌గా స్థిరమైన క్యూబిక్ ZB నిర్మాణంలో స్ఫటికీకరించబడుతుంది, ఇది 2.26 eV (300K) పరోక్ష బ్యాండ్ గ్యాప్‌తో కూడిన నారింజ-పసుపు సెమిట్రాన్స్‌పరెంట్ క్రిస్టల్ పదార్థం. 6N 7N అధిక స్వచ్ఛత గాలియం మరియు భాస్వరం నుండి సంశ్లేషణ చేయబడింది మరియు లిక్విడ్ ఎన్‌క్యాప్సులేటెడ్ క్జోక్రాల్స్‌కి (LEC) టెక్నిక్ ద్వారా సింగిల్ క్రిస్టల్‌గా పెరిగింది.n-రకం సెమీకండక్టర్‌ని పొందేందుకు గాలియం ఫాస్ఫైడ్ క్రిస్టల్ డోప్డ్ సల్ఫర్ లేదా టెల్లూరియం, మరియు జింక్‌ను పి-టైప్ కండక్టివిటీగా డోప్ చేసి, కావలసిన పొరను మరింతగా తయారు చేస్తారు, ఇది ఆప్టికల్ సిస్టమ్, ఎలక్ట్రానిక్ మరియు ఇతర ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ పరికరాలలో అప్లికేషన్‌లను కలిగి ఉంటుంది.మీ LPE, MOCVD మరియు MBE ఎపిటాక్సియల్ అప్లికేషన్ కోసం సింగిల్ క్రిస్టల్ GaP పొరను ఎపి-రెడీగా తయారు చేయవచ్చు.వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో అధిక నాణ్యత సింగిల్ క్రిస్టల్ గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP పొర p-రకం, n-రకం లేదా అన్‌డోప్డ్ కండక్టివిటీని 2″మరియు 3” (50mm, 75mm వ్యాసం) , ఓరియంటేషన్ <100>,<111 పరిమాణంలో అందించవచ్చు. > కట్, పాలిష్ లేదా ఎపి-రెడీ ప్రక్రియ యొక్క ఉపరితల ముగింపుతో.

అప్లికేషన్లు

తక్కువ కరెంట్ మరియు కాంతి ఉద్గారంలో అధిక సామర్థ్యంతో, గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP పొర ఆప్టికల్ డిస్‌ప్లే సిస్టమ్‌లకు తక్కువ-ధర ఎరుపు, నారింజ మరియు ఆకుపచ్చ కాంతి-ఉద్గార డయోడ్‌లు (LEDలు) మరియు పసుపు మరియు ఆకుపచ్చ LCD బ్యాక్‌లైట్ మరియు LED చిప్‌ల తయారీకి అనుకూలంగా ఉంటుంది. తక్కువ నుండి మధ్యస్థ ప్రకాశం వరకు, ఇన్‌ఫ్రారెడ్ సెన్సార్‌లు మరియు పర్యవేక్షణ కెమెరాల తయారీకి ప్రాథమిక సబ్‌స్ట్రేట్‌గా GaP విస్తృతంగా స్వీకరించబడింది.

ఇప్పుడు విచారణ

వివరాలు

టాగ్లు

సాంకేతిక నిర్దిష్టత

గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP

వెస్ట్రన్ మిన్‌మెటల్స్ (SC) కార్పొరేషన్‌లో హై క్వాలిటీ సింగిల్ క్రిస్టల్ గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP పొర లేదా సబ్‌స్ట్రేట్ p-టైప్, n-రకం లేదా అన్‌డోప్డ్ కండక్టివిటీని 2″ మరియు 3” (50mm, 75mm) వ్యాసం, ఓరియంటేషన్ <100>లో అందించవచ్చు. , <111> అల్యూమినియం కాంపోజిట్ బ్యాగ్‌లో సీలు చేయబడిన సింగిల్ వేఫర్ కంటైనర్‌లో లేదా ఖచ్చితమైన పరిష్కారానికి అనుకూలీకరించిన స్పెసిఫికేషన్‌లో కట్, ల్యాప్డ్, ఎచెడ్, పాలిష్, ఎపి-రెడీ ప్రాసెస్ చేయబడిన ఉపరితల ముగింపు.

నం.	వస్తువులు	స్టాండర్డ్ స్పెసిఫికేషన్
1	GaP పరిమాణం	2"
2	వ్యాసం mm	50.8 ± 0.5
3	వృద్ధి పద్ధతి	LEC
4	వాహకత రకం	P-టైప్/Zn-డోప్డ్, N-టైప్/(S, Si,Te)-డోప్డ్, అన్-డోప్డ్
5	ఓరియంటేషన్	<1 1 1> ± 0.5°
6	మందం μm	(300-400) ± 20
7	రెసిస్టివిటీ Ω-సెం	0.003-0.3
8	ఓరియంటేషన్ ఫ్లాట్ (OF) mm	16± 1
9	గుర్తింపు ఫ్లాట్ (IF) mm	8±1
10	హాల్ మొబిలిటీ cm2/Vs నిమి	100
11	క్యారియర్ ఏకాగ్రత సెం.మీ^-3	(2-20) E17
12	తొలగుట సాంద్రత సెం.మీ^-2గరిష్టంగా	2.00E+05
13	ఉపరితల ముగింపు	P/E, P/P
14	ప్యాకింగ్	అల్యూమినియం కాంపోజిట్ బ్యాగ్‌లో సీలు చేసిన సింగిల్ వేఫర్ కంటైనర్, బయట కార్టన్ బాక్స్

లీనియర్ ఫార్ములా	GaP
పరమాణు బరువు	100.7
క్రిస్టల్ నిర్మాణం	జింక్ మిశ్రమం
స్వరూపం	ఆరెంజ్ ఘన
ద్రవీభవన స్థానం	N/A
మరుగు స్థానము	N/A
300K వద్ద సాంద్రత	4.14 గ్రా/సెం³
ఎనర్జీ గ్యాప్	2.26 eV
అంతర్గత నిరోధం	N/A
CAS నంబర్	12063-98-8
EC నంబర్	235-057-2

గాలియం ఫాస్ఫైడ్ GaP పొర, తక్కువ కరెంట్ మరియు కాంతి ఉద్గారంలో అధిక సామర్థ్యంతో, ఆప్టికల్ డిస్‌ప్లే సిస్టమ్‌లకు తక్కువ ధర ఎరుపు, నారింజ మరియు ఆకుపచ్చ కాంతి-ఉద్గార డయోడ్‌లు (LEDలు) మరియు పసుపు మరియు ఆకుపచ్చ LCD బ్యాక్‌లైట్ మరియు తక్కువ నుండి మధ్యస్థంగా LED చిప్‌ల తయారీకి అనుకూలంగా ఉంటుంది. ప్రకాశం, ఇన్‌ఫ్రారెడ్ సెన్సార్‌లు మరియు పర్యవేక్షణ కెమెరాల తయారీకి ప్రాథమిక సబ్‌స్ట్రేట్‌గా కూడా GaP విస్తృతంగా స్వీకరించబడింది.